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| 專利名稱(中) | 具熱穩定性之自旋軌道扭力式磁性隨存記憶體 |
| 專利名稱(英) | SPIN-ORBIT TORQUE MAGNETORESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY (SOT-MRAM) WITH THERMAL STABILITY |
| 專利家族 |
中華民國：I634680 大陸：3333156 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
| 發明人 | 黃國峰,蔡明翰,賴志煌 |
| 技術領域 | 材料化工 |
 專利摘要(中) |
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| 一种具热稳定性的自旋轨道扭力式磁性随存储存器，包含一基板及一设置于基板并具一磁性自由层的自旋轨道扭力式记忆胞。该磁性自由层包括一铁磁性的第一金属膜、接触该第一金属膜且分别呈反铁磁性与自旋霍尔效应的第二、三金属膜。该第一金属膜具有介于0.5‑1.5nm间的第一厚度。第二金属膜具有一足以对磁性自由层提供有一交换偏移场HEB且大于6nm的第二厚度。HEB是在沿该第一金属膜的一难轴对该磁性自由层同时提供有一外加磁场及一交流脉冲电讯号以达该交流脉冲电讯号所产生的一临界电流密度时所形成。该第二金属膜是未经垂直场退火与非经垂直场镀膜所构成的一IrMn合金膜。该磁性自由层本质上在该达临界电流密度时具一矫顽场(HC)，且︱HEB︱＞︱HC︱ |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 楊美茹 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
| 承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |
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