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專利名稱(中) 高电子迁移率发光晶体管的结构
專利家族 中華民國：I559537
大陸：3010461
美國：9,502,602
專利權人 國立清華大學 100.00%
發明人 張庭輔,王佑立,鄭克勇,邱紹諺,吳濬宏,李奕辰,楊偉臣,黃智方
技術領域 電子電機
專利摘要(中)
本发明提供了一种高电子迁移率发光晶体管的结构，结构包含：基板；高迁移率晶体管(简称HEMT)区设置于基板上；氮化镓发光二极管(GaN-LED，简称LED)区设置于该基板上；其中，HEMT区与LED区皆存在二维电子气层，且HEMT区通过二维电子气层耦接LED区。本发明可以产生不同波长的光，并且可以控制LED区的光源亮度。
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承辦人姓名 李曉琪
承辦人電話 03-5715131 #31061
承辦人Email hsiaochi@mx.nthu.edu.tw
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