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專利名稱(中) | 自旋轨道矩磁随机存储器 |
專利家族 |
中華民國:I875166 大陸:CN 119545808 A(公開號) 美國:US-2025-0081857-A1(公開號) |
專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
發明人 | 賴志煌,潘宗侑,曾致翔,鄒易呈,陳榮志 |
技術領域 | 材料化工,電子電機 |
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本发明提供一种自旋轨道矩磁随机存储器(SOT MRAM),至少包括自旋电流源合金层、铁磁性自由层与绝缘层。所述自旋电流源合金层为镍钨合金层,所述铁磁性自由层位于自旋电流源合金层上,所述绝缘层位于铁磁性自由层上。由于镍钨合金层具有良好的垂直各向异性并且能维持高自旋霍尔角,所以适合作为自旋轨道矩磁随机存储器的自旋电流源。 |
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承辦人姓名 | 楊美茹 |
承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |