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| 專利名稱(中) | CMOS-MEMS諧振換能器及其製造方法 |
| 專利名稱(英) | CMOS-MEMS RESONANT TRANSDUCER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME |
| 專利家族 |
中華民國：I562224 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
| 發明人 | 李銘晃,陳昭瑜,李昇憲 |
| 技術領域 | 通信傳輸,電子電機,機械結構 |
 專利摘要(中) |
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| 本發明提供一種CMOS-MEMS諧振換能器及其製造方法，藉由精確蝕刻的雙端自由樑結構，可以高良率製程提供具有窄間隙(＜500nm)的CMOS-MEMS諧振換能器，此外，透過設置在諧振主體底部的氮化鈦材料層，可有效降低因靜電導致的頻率偏移，本發明還適用於各式尺度之CMOS-MEMS平台製程，提供製程以及結構設計上的靈活性。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 李馥如 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #34576 |
| 承辦人Email | fujulee@mx.nthu.edu.tw |
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