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| 專利名稱(中) | 於銅銦鎵硒製備三維結構的方法 |
| 專利名稱(英) | Method for producing a three-dimensional structure on a copper indium gallium selenide compound |
| 專利家族 |
中華民國：I480947 美國：8,815,633 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 顏鈺庭,王乙仲,鄭湘穎,闕郁倫 |
| 技術領域 | 材料化工,光電光學 |
 專利摘要(中) |
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| 一種於銅銦鎵硒製備三維結構的方法，首先，準備一銅銦鎵硒基材，並於該銅銦鎵硒基材上定義為互補的兩區域；接著，提供一模具，並使該模具吸收一對該銅銦鎵硒基材具腐蝕性而對該模具不具腐蝕性的蝕刻液；最後，將該模具對應於該兩區域上，令該蝕刻液流出該模具而接觸該兩區域以進行蝕刻，使得該兩區域之間形成一高度落差，而於該銅銦鎵硒基材上形成一三維結構。據此，本發明不需昂貴的設備即可快速的於該銅銦鎵硒基材上大面積製作出該三維結構。 |
 聯絡資訊 |
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|---|---|
| 承辦人姓名 | 楊美茹 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
| 承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |
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