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| 專利名稱(中) | 半导体结构及其制造方法 |
| 專利家族 |
中華民國：I782474 大陸：CN113539873A(公開號) 美國：2021-0407764(公開號) |
| 專利權人 | 國立清華大學 66.67% ,台灣積體電路製造股份有限公司 33.33% |
| 發明人 | 金雅琴,林崇榮,林本堅,王建評,王紹華,張俊霖,陳立銳 |
| 技術領域 | 電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 方法包括将第一电压施加至测试晶圆中的半导体检测器的检测器单元的第一晶体管的源极，以及将第二电压施加至检测器单元的第一晶体管的栅极和第二晶体管的漏极。第一晶体管串联耦接至第二晶体管，并且第一电压高于第二电压。对检测器单元执行预曝光读取操作。在施加第一电压和第二电压之后，将曝光装置的光投射到第二晶体管的栅极。对检测器单元执行曝光后读取操作。将预曝光读取操作与曝光后读取操作的数据进行比较。基于预曝光读取操作和曝光后读取操作的比较的数据调整光的强度。本发明的实施例还涉及半导体结构及其制造方法。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 李曉琪 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
| 承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |
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