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| 專利名稱(中) | 半導體裝置的製法及其製品 |
| 專利家族 |
中華民國：202544897(公開號) 大陸：CN120936055A(公開號) |
| 專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
| 發明人 | 闕郁倫,劉欣睿,蘇麻呀 |
| 技術領域 | 材料化工,電子電機 |
 專利摘要(中) |
|---|
| 一种半导体装置，包括一半导体基板单元、一层形成在该半导体基板单元上并由一过渡金属二硫族化物所构成的二维材料层、两个单晶体，及两金属电极层。所述单晶体间隔地位在该二维材料层上。各个单晶体是由一第一金属材料所构成或是一由该第一金属材料与一第二金属材料所构成的介金属化合物。所述金属电极层由该第二金属材料所构成，且各个金属电极层接触各自所对应的单晶体。在本发明中，该第一金属材料具有一第一熔点，且该第二金属材料具有一第二熔点，该第一熔点低于该第二熔点。本发明亦提供一种前述半导体装置的制法。借由位在该二维材料层上的各个第一金属材料的单晶体或各个介金属化合物的单晶体有利于降低接触电阻并提升电流密度。 |
 聯絡資訊 |
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|---|---|
| 承辦人姓名 | 黃允恬 |
| 承辦人電話 | (03)571-5131#62305 |
| 承辦人Email | yuntian@mx.nthu.edu.tw |
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