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專利名稱(中) 自旋軌道扭力式磁性隨存記憶體及其寫入方法
專利名稱(英) SPIN-ORBIT TORQUE MAGNETORESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY AND METHOD FOR WRITING THEREOF
專利家族 中華民國：I581261
大陸：3461522
專利權人 國立清華大學 100.00%
發明人 蔡明翰,王鼎碩,林秀豪,黃國峰,賴志煌
技術領域 材料化工,電子電機
專利摘要(中)
一種自旋軌道扭力式磁性隨存記憶體及其寫入方法。該自旋軌道扭力式磁性隨存記憶體包含設於基板並具磁性自由層的自旋軌道扭力式記憶胞。磁性自由層包括彼此接觸的鐵磁性第一金屬膜及呈自旋霍爾效應的第二金屬膜。第一金屬膜具一足以使磁性自由層具一介於±0.9之殘留磁化量對飽和磁化量的比值的厚度。該比值是在沿著第一金屬膜之難軸對磁性自由層依序提供與釋放一足以使磁性自由層達該飽和磁化量的第一外加磁場後所達成，從而令第一金屬膜在沿著其難軸對磁性自由層提供一遠小於第一外加磁場的第二外加磁場與一交流脈衝電訊號以達其所產生之臨界電流密度以上時具3級以上的磁域。
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承辦人姓名 楊美茹
承辦人電話 03-5715131 #62305
承辦人Email mjyang2@mx.nthu.edu.tw
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