專利授權區國立清華大學國際產學營運總中心 Operations Center for Industry Collaboration

搜尋專利授權區

關鍵字

» 新增關鍵字

選單

專利授權區

專利授權區
專利名稱(中)	電阻式記憶體
專利名稱(英)	RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY
專利家族	美國：9,159,918
專利權人	國立清華大學 100.00%
發明人	黃棨歆,闕郁倫
技術領域	電子電機

專利摘要(中)
（1）本案有主張台灣優先權（申請日：2013.1.8；申請號：102100630）。（2）本案提申同時呈報IDS（呈報內容為檢索前案之TW201003899、US20100001267、US20110260290）。 A resistive random access memory includes a first electrode, a second electrode and a first metal oxide composite layer. The second electrode is opposite to the first electrode. The first metal oxide composite layer is disposed between the first electrode and the second electrode. The first metal oxide composite layer has a film layer and a nanorod structure.

專利摘要(中)

（1）本案有主張台灣優先權（申請日：2013.1.8；申請號：102100630）。（2）本案提申同時呈報IDS（呈報內容為檢索前案之TW201003899、US20100001267、US20110260290）。 A resistive random access memory includes a first electrode, a second electrode and a first metal oxide composite layer. The second electrode is opposite to the first electrode. The first metal oxide composite layer is disposed between the first electrode and the second electrode. The first metal oxide composite layer has a film layer and a nanorod structure.

聯絡資訊
承辦人姓名	楊美茹
承辦人電話	03-5715131 #62305
承辦人Email	mjyang2@mx.nthu.edu.tw