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| 專利名稱(中) | 光阻剂、半导体装置的制造方法及极紫外线微影术方法 |
| 專利家族 |
中華民國：I843085 大陸：CN 116224715 A(公開號) 美國：US20230259024A1(公開號) |
| 專利權人 | 國立清華大學 63.64% ,台灣積體電路製造股份有限公司 36.36% |
| 發明人 | 劉瑞雄,李柏璇,呂安云,陳冠廷,陳柏熊,林本堅 |
| 技術領域 | 光電光學,電子電機 |
 專利摘要(中) |
|---|
| 一种光阻剂、半导体装置的制造方法及极紫外线微影术方法，制造半导体装置的方法包括以下步骤：在基板上形成光阻剂层，将光阻剂层选择性地曝露于EUV辐射，及显影选择性地曝光的 光阻剂层。光阻剂层的组成物包括溶剂及光敏化合物，该光敏化合物溶解于溶剂且由结合六聚体锡及两个氯配体的分子簇化合物组成。 |
 聯絡資訊 |
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|---|---|
| 承辦人姓名 | 黃允恬 |
| 承辦人電話 | (03)571-5131#62305 |
| 承辦人Email | yuntian@mx.nthu.edu.tw |
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傳 真：
+886-3-5162275
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300044 新竹市光復路二段101號 國立清華大學 創新育成大樓 113室