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| 專利名稱(中) | III族-氮化物發光二極體與其形成方法 |
| 專利名稱(英) | III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME |
| 專利家族 |
大陸：1253418 美國：8,242,523 韓國：10-1268972 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 呂宥蓉,林弘偉,果尚志 |
| 技術領域 | 光電光學 |
 專利摘要(中) |
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| 본 발명의 실시예는 3족 질화물 발광다이오드를 안출하였으며, 3족 질화물 발광다이오드는 제1 전극; 복수개의 n형 질화갈륨 나노기둥과 상기 제1 전극과 옴 접촉하는 n형 질화갈륨 나노기둥 어레이; 각각의 n형 질화갈륨 나노기둥 상에 배치된 하나 또는 복수개의 질화인듐갈륨 나노디스크; 복수개의 p형 질화갈륨 나노기둥을 구비하고, 그 중 각각의 p형 질화갈륨 나노기둥은 하나의 n형 질화갈륨 나노기둥에 대응되고, 각각 대응되는 n형 질화갈륨 나노기둥 상방의 상기 질화인듐갈륨 나노디스크의 상방에 배치된 p형 질화갈륨 나노기둥 어레이; 및 상기 p형 질화갈륨 나노기둥 어레이와 옴 접촉하는 제2 전극을 포함하고 있다. |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 周家鳳 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #34576 |
| 承辦人Email | cf.chou@mx.nthu.edu.tw |
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