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專利名稱(中)	III族-氮化物發光二極體與其形成方法
專利名稱(英)	III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
專利家族	大陸：1253418 美國：8,242,523 韓國：10-1268972
專利權人	國立清華大學 100.00%
發明人	呂宥蓉,林弘偉,果尚志
技術領域	光電光學

專利摘要(中)
본 발명의 실시예는 3족 질화물 발광다이오드를 안출하였으며, 3족 질화물 발광다이오드는 제1 전극; 복수개의 n형 질화갈륨 나노기둥과 상기 제1 전극과 옴 접촉하는 n형 질화갈륨 나노기둥 어레이; 각각의 n형 질화갈륨 나노기둥 상에 배치된 하나 또는 복수개의 질화인듐갈륨 나노디스크; 복수개의 p형 질화갈륨 나노기둥을 구비하고, 그 중 각각의 p형 질화갈륨 나노기둥은 하나의 n형 질화갈륨 나노기둥에 대응되고, 각각 대응되는 n형 질화갈륨 나노기둥 상방의 상기 질화인듐갈륨 나노디스크의 상방에 배치된 p형 질화갈륨 나노기둥 어레이; 및 상기 p형 질화갈륨 나노기둥 어레이와 옴 접촉하는 제2 전극을 포함하고 있다.

專利摘要(中)

본 발명의 실시예는 3족 질화물 발광다이오드를 안출하였으며, 3족 질화물 발광다이오드는 제1 전극; 복수개의 n형 질화갈륨 나노기둥과 상기 제1 전극과 옴 접촉하는 n형 질화갈륨 나노기둥 어레이; 각각의 n형 질화갈륨 나노기둥 상에 배치된 하나 또는 복수개의 질화인듐갈륨 나노디스크; 복수개의 p형 질화갈륨 나노기둥을 구비하고, 그 중 각각의 p형 질화갈륨 나노기둥은 하나의 n형 질화갈륨 나노기둥에 대응되고, 각각 대응되는 n형 질화갈륨 나노기둥 상방의 상기 질화인듐갈륨 나노디스크의 상방에 배치된 p형 질화갈륨 나노기둥 어레이; 및 상기 p형 질화갈륨 나노기둥 어레이와 옴 접촉하는 제2 전극을 포함하고 있다.

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承辦人姓名	李馥如