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| 專利名稱(中) | 具反極性結構的無接面電晶體 |
| 專利名稱(英) | JUNCTION-LESS TRANSISTOR HAVING REVERSE POLARITY STRUCTURE |
| 專利家族 |
中華民國：I531066 美國：9,287,361 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 陳弘斌,韓銘鴻,吳永俊 |
| 技術領域 | 電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 一種具反極性結構的無接面電晶體，包含有一基材、一半導體本體、一閘極以及一閘極絕緣層。該基材具有一第一極性；該半導體本體設置於該基材上，並包含一汲極端、一源極端以及一連接於該汲極端與該源極端之間的通道段；該閘極罩覆於該通道段遠離該基材一側；而該閘極絕緣層設置於該閘極與該通道段之間，其中，該半導體本體具有一與該第一極性相反的第二極性。據此，本發明藉由該半導體本體與該基材具有互為相反的該第一極性與該第二極性，不僅減少元件漏電流的產生，更可降低元件製造成本。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 楊美茹 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
| 承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |
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