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| 專利名稱(中) | 具有磷摻雜矽奈米線的電極結構的製備方法及其電極結構 |
| 專利名稱(英) | Manufacturing method of electrode structure including phosphorus-hyperdoped silicon nanowires, and electrode structure thereof |
| 專利家族 |
中華民國：I818497 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 段興宇,張哲斌 |
| 技術領域 | 能源科技 |
 專利摘要(中) |
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| 提供一種具有磷摻雜矽奈米線的電極結構的製備方法及其電極結構，以紅磷奈米粒子為含磷前驅物，通過超臨界流體法合成磷摻雜矽奈米線。此外，製造了由磷超摻雜矽奈米線和碳奈米管組成的雙層纖維電極結構，可在不使用導電添加劑和粘合劑的情況下增加電解質和集電器的接觸。磷摻雜矽奈米線具有高循環穩定性和快速充放電能力，在鋰離子電池上具有應用的穩定性潛力。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 周家鳳 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #34576 |
| 承辦人Email | cf.chou@mx.nthu.edu.tw |
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