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| 專利名稱(中) | 在氧化氣氛下沉積銅金屬薄膜的方法及銅金屬前驅物 |
| 專利家族 |
中華民國：I256078 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
| 發明人 | 裘元杰,艾迪,季昀 |
| 技術領域 | 材料化工 |
 專利摘要(中) |
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| 本發明揭示一種以化學氣相沈積(CVD)於一基材上沈積出銅金屬薄膜的方法，包含在一基材的存在下及一含有氧氣的氣氛下使銅-配位基錯合物的蒸氣被分解。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 李馥如 |
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