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| 專利名稱(中) | 半導體裝置以及其製造方法 |
| 專利名稱(英) | SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
| 專利家族 |
中華民國：I858814 美國：2024-0332386(公開號) |
| 專利權人 | 國立清華大學 50% ,台灣積體電路製造股份有限公司 50% |
| 發明人 | 吳永俊,姚怡如 |
| 技術領域 | 電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 一種方法包括在半導體基板上方形成磊晶堆疊，其中磊晶堆疊包含交替配置於半導體基板上方的複數個第一半導體層與複數個第二半導體層，其中第一半導體層具有低於第二半導體層之鍺濃度的鍺濃度；將磊晶堆疊圖案化成鰭片；在鰭片之通道區上方形成閘極結構，其中閘極結構與鰭片之通道區內的第一半導體層及第二半導體層接觸；及在鰭片之通道區的相對側上形成源極/汲極區。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 李曉琪 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
| 承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |
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