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| 專利名稱(中) | 三維電阻式記憶體結構 |
| 專利名稱(英) | THREE-DIMENSIONAL RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY STRUCTURE |
| 專利家族 |
中華民國：I819475 美國：2023-0240083(公開號) |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 金雅琴,林崇榮,黃耀弘 |
| 技術領域 | 材料化工,工業工程,電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 本發明提供一種三維電阻式記憶體結構包含基底層、第一層、第二層、第三層及第四層。第一層包含二第一導電層及第一通孔。第二層包含三第二導電層及二第二通孔，其中一第二通孔及此三第二導電層之其中二者之間形成二第一電阻性元件，此三第二導電層之其中二者沿第一方向延伸。第三層包含三第三導電層及二第三通孔，其中一第三通孔及此三第三導電層之其中二者之間形成二第二電阻性元件，此三第三導電層之其中二者沿第二方向延伸。第四層包含第四導電層，第四導電層電性連接二第三通孔。第一方向垂直第二方向。藉此，提升記憶體的設置密度。 |
 聯絡資訊 |
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|---|---|
| 承辦人姓名 | 李曉琪 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
| 承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |
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