專利授權區 | |
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專利名稱(中) | 製備金屬硫屬化物垂直異質接面的方法 |
專利名稱(英) | METHOD FOR FABRICATING A VERTICAL HETEROJUNCTION OF METAL CHALCOGENIDES |
專利家族 |
中華民國:I627301 美國:9,899,214 |
專利權人 | 國立清華大學 100% |
發明人 | 溫偉源,蔡勖升,梁正宏 |
技術領域 | 材料化工 |
專利摘要(中) |
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本發明提供一種製備金屬硫屬化物垂直異質接面的方法,包含提供複層材料、進行離子佈植步驟以及進行退火步驟。複層材料包含載板與金屬層,載板包含第一金屬元素之氧化物,金屬層包含第二金屬元素,且金屬層覆蓋載板而形成介面。進行離子佈植步驟使硫屬離子源由鄰近金屬層之一側射入複層材料,而將硫屬離子佈植於複層材料之深度區域,且深度區域包含前述介面。進行退火步驟係於介面兩側分別形成第一金屬硫屬化物與第二金屬硫屬化物。藉此,本發明製程簡單,可直接將金屬硫屬化物製作於基材上,並可大尺度合成金屬硫屬化物,有助於廣泛應用。 |
聯絡資訊 | |
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承辦人姓名 | 楊美茹 |
承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |