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| 專利名稱(中) | 蕭特基二極體結構及其製造方法 |
| 專利家族 |
中華民國：I456770 美國：8,436,361 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
| 發明人 | 徐碩鴻,連羿韋,林于軒 |
| 技術領域 | 電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 本發明提出一種蕭特基二極體結構及其製造方法，係基於電荷補償原理，於氮化鎵系蕭特基二極體結構中外加一P型氮化鎵層，透過P型氮化鎵層與N型氮化鎵層的PN介面，降低表面電場分佈的不均勻性，藉以提升元件的崩潰電壓。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 李曉琪 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
| 承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |
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