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專利名稱(中) 沟槽式栅极功率金属氧化物半导体场效应晶体管的结构
專利家族 中華民國:I663725
大陸:5167330
美國:10,468,519
專利權人 國立清華大學 100%
發明人 江政毅,黃智方
技術領域 電子電機
專利摘要(中)
本发明提供一种沟槽式栅极功率金属氧化物半导体场效应晶体管的结构,包含:金属层分别设置于结构的上表面与底面;N型半导体基板设置于漏极上;N型漂移区设置于N型半导体基板上;N型电流分散层设置于N型漂移区上;P型阱设置于电流分散层上;N型半导体层设置于P型阱上;第一P型半导体层相邻N型半导体层并设置于P型阱上;沟槽延伸通过N型半导体层、P型阱及N型电流分散层;绝缘层设置于沟槽内;分离栅极设置于沟槽的绝缘层中并被绝缘层包覆;栅极设置于沟槽的绝缘层中且在分离栅极上;半导体保护层设置于沟槽的底部下并相邻于N型漂移区,且绝缘层设置于半导体保护层上;栅极与分离栅极被绝缘层区隔出预设间距,能保护绝缘层不被破坏。
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承辦人姓名 李曉琪
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