專利授權區 | |
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專利名稱(中) | 半導體異質結構及包含其之場效電晶體與光感測器 |
專利名稱(英) | SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION, FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PHOTODETECTOR INCLUDING THE SAME |
專利家族 |
中華民國:I739274 美國:11,296,250 |
專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
發明人 | 黃暄益,李安庭,譚至善,謝沛倫 |
技術領域 | 光電光學,電子電機 |
專利摘要(中) |
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本發明提供一種半導體異質結構,其包含一底層半導體、一頂層半導體以及一電極基板。底層半導體之一上表面包含一第一晶面,頂層半導體之一下表面包含一第二晶面,且頂層半導體之下表面與底層半導體之上表面接觸,電極基板設置於底層半導體之下方。藉此,通過兩種不同半導體之間的不同晶面組合進行電性接觸,來觀察與晶面相關的特性,並應用在電子或光學裝置。 |
專利摘要(英) |
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The present disclosure provides a semiconductor heterojunction. The semiconductor heterojunction includes a bottom semiconductor, a top semiconductor and an electrode substrate. An upper surface of the bottom semiconductor includes a first facet. A lower surface of the top semiconductor includes a second facet, and the lower surface of the top semiconductor is contacted with the upper surface of the bottom semiconductor. The electrode substrate is disposed below the bottom semiconductor. |
聯絡資訊 | |
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承辦人姓名 | 李馥如 |