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專利名稱(中)	鐵磁性自由層、包含其的疊層結構、磁穿隧結接面結構、磁阻式隨機存取記憶體和鐵鈷基靶材
專利名稱(英)	FERROMAGNETIC FREE LAYER, LAMINATED STRUCTURE COMPRISING THE SAME, MAGNETIC TUNNEL JUNCTION STRUCTURE, MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY, AND IRON-COBALT BASED TARGET
專利家族	中華民國：(公開號)
專利權人
發明人	唐志文,賴志煌,黃威智,楊鈞量,歐冠伶
技術領域	材料化工

專利摘要(中)
本發明提供一種鐵磁性自由層，其包含鐵、鈷、硼以及一添加金屬，且以該鐵磁性自由層的原子總數為基準，鈷的含量係大於0 at％且小於30 at％，硼的含量係大於10 at％且小於或等於35 at％，該添加金屬的含量係大於或等於2 at％且小於10 at％；其中，該添加金屬包含鉬、錸或其組合，該鐵磁性自由層的厚度係大於或等於1.5 nm且小於2.5 nm。本發明之鐵磁性自由層能夠以單一層體應用於MTJ結構中，並且具有足夠的熱穩定性而於高溫熱處理後仍保有良好的磁性質，進而使MTJ結構發揮正常的記錄功能。

專利摘要(中)

本發明提供一種鐵磁性自由層，其包含鐵、鈷、硼以及一添加金屬，且以該鐵磁性自由層的原子總數為基準，鈷的含量係大於0 at％且小於30 at％，硼的含量係大於10 at％且小於或等於35 at％，該添加金屬的含量係大於或等於2 at％且小於10 at％；其中，該添加金屬包含鉬、錸或其組合，該鐵磁性自由層的厚度係大於或等於1.5 nm且小於2.5 nm。本發明之鐵磁性自由層能夠以單一層體應用於MTJ結構中，並且具有足夠的熱穩定性而於高溫熱處理後仍保有良好的磁性質，進而使MTJ結構發揮正常的記錄功能。

聯絡資訊
承辦人姓名	黃允恬
承辦人電話	(03)571-5131#62305
承辦人Email	yuntian@mx.nthu.edu.tw