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專利名稱(中) 半導體元件的製造方法
專利名稱(英) MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
專利家族 中華民國：I818580
美國：US-2023-0402822-A1(公開號)
專利權人 國立清華大學 100%
發明人 潘犀靈,王啓倫,李鴻生,鄒李昌,林子能
技術領域 光電光學,電子電機
專利摘要(中)
一種半導體元件的製造方法，包括：提供一半導體堆疊層，其中半導體堆疊層包括依序堆疊的一第一型半導體層、一量子井層及一第二型半導體層；在第二型半導體層上成長一氮化鋁層；以及對氮化鋁層進行退火處理，以達到量子井互混的效果。
聯絡資訊
承辦人姓名 周家鳳
承辦人電話 03-5715131 #34576
承辦人Email cf.chou@mx.nthu.edu.tw
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