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| 專利名稱(中) | III族-氮化物發光二極體與其形成方法 |
| 專利名稱(英) | III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME |
| 專利家族 |
中華民國：I430473 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
| 發明人 | 呂宥蓉,林弘偉,果尚志 |
| 技術領域 | 光電光學 |
 專利摘要(中) |
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| 本發明實施例提供一種三族-氮化物發光二極體，其主要包含：一第一電極；一n型氮化鎵奈米柱陣列，具有複數個n型氮化鎵奈米柱與該第一電極歐姆接觸；一或多個氮化銦鎵奈米碟，設置於每個n型氮化鎵奈米柱上；一p型氮化鎵奈米柱陣列，具有複數個p型氮化鎵奈米柱，其中每個p型氮化鎵奈米柱對應一個n型氮化鎵奈米柱，且被設置於每個所對應之n型氮化鎵奈米柱上方的該氮化銦鎵奈米碟的上方；以及一第二電極，與該p型氮化鎵奈米柱陣列歐姆接觸。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 李馥如 |
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