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專利名稱(中)	溝槽式閘極功率金氧半場效電晶體之結構
專利名稱(英)	STRUCTURE OF U-METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR
專利家族	中華民國：I663725 大陸：5167330 美國：10,468,519
專利權人	國立清華大學 100%
發明人	江政毅,黃智方
技術領域	電子電機

專利摘要(中)
本發明提供一種溝槽式閘極功率金氧半場效電晶體之結構(UMOSFET)之結構，結構包含：一金屬層分別設置於結構之一上表面與一底面，以分別形成一源極與一汲極，以做為結構與外界連結之電極；一N 型半導體基板，設置於汲極上；一N 型漂移區(N-dri ft region)，設置於N 型半導體基板上；一N 型電流分散層(N-cur rent spread layer , N-CSL)，設置於N 型漂移區上；一P 型井(P-wel l )，設置於電流分散層上；一N 型半導體層，設置於P 型井上；一第一P 型半導體層，相鄰於N 型半導體層並設置於P 型井上；一溝槽延伸通過N 型半導體層、P 型井以及N型電流分散層，溝槽之底部終止於N 型漂移區；一絕緣層設置於溝槽內；一分離閘極(spl i t gate)設置於溝槽之絕緣層中並被該絕緣層所包覆；一閘極設置於溝槽之絕緣層中且在分離閘極之上；以及一半導體保護層，設置於溝槽之底部以下，並相鄰於N型漂移區，且絕緣層設置於半導體保護層之上，用以在結構關斷偏壓時，保護絕緣層被電場所擊穿；其中，閘極與分離閘極係被絕緣層所區隔出一預設間距；以及，閘極之底部深度位置係深於該P 型井與該N 型電流分散層之交界面。

專利摘要(中)

本發明提供一種溝槽式閘極功率金氧半場效電晶體之結構(UMOSFET)之結構，結構包含：一金屬層分別設置於結構之一上表面與一底面，以分別形成一源極與一汲極，以做為結構與外界連結之電極；一N 型半導體基板，設置於汲極上；一N 型漂移區(N-dri ft region)，設置於N 型半導體基板上；一N 型電流分散層(N-cur rent spread layer , N-CSL)，設置於N 型漂移區上；一P 型井(P-wel l )，設置於電流分散層上；一N 型半導體層，設置於P 型井上；一第一P 型半導體層，相鄰於N 型半導體層並設置於P 型井上；一溝槽延伸通過N 型半導體層、P 型井以及N型電流分散層，溝槽之底部終止於N 型漂移區；一絕緣層設置於溝槽內；一分離閘極(spl i t gate)設置於溝槽之絕緣層中並被該絕緣層所包覆；一閘極設置於溝槽之絕緣層中且在分離閘極之上；以及一半導體保護層，設置於溝槽之底部以下，並相鄰於N型漂移區，且絕緣層設置於半導體保護層之上，用以在結構關斷偏壓時，保護絕緣層被電場所擊穿；其中，閘極與分離閘極係被絕緣層所區隔出一預設間距；以及，閘極之底部深度位置係深於該P 型井與該N 型電流分散層之交界面。

聯絡資訊
承辦人姓名	李曉琪
承辦人電話	03-5715131 #31061
承辦人Email	hsiaochi@mx.nthu.edu.tw