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專利名稱(中) 非揮發性記憶體元件及其操作方法
專利名稱(英) Non - volatile Semiconductor Device and Method for Operating the Same
專利家族 中華民國:I443780
美國:8,837,227
專利權人 國立清華大學 100%
發明人 金雅琴,林崇榮
技術領域 電子電機
專利摘要(中)
一種非揮發性記憶體元件及其操作方法在此揭露,其中之非揮發性記憶體元件包含閘極介電層、P型浮動閘極、耦合閘、第一、第二P型源極/汲極以及第一、第二接觸插塞。閘極介電層形成於N型半導體基材上;P型浮動閘極形成於閘極介電層上;第一、第二P型源極/汲極形成於N型半導體基材中,分別位於P型浮動閘極之相對兩側。第一接觸插塞形成於第一P型源極/汲極上,第二接觸插塞形成於第二P型源極/汲極上。耦合閘基本上由電容介電質層與第三接觸插塞組成,其中電容介電質層形成於P型浮動閘極上,第三接觸插塞形成於電容介電質層上。
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承辦人姓名 李曉琪
承辦人電話 03-5715131 #31061
承辦人Email hsiaochi@mx.nthu.edu.tw
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