專利授權區 | |
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專利名稱(中) | III族-氮化物發光二極體與其形成方法 |
專利名稱(英) | III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME |
專利家族 |
中華民國:I497764 |
專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
發明人 | 林弘偉,呂宥蓉,果尚志 |
技術領域 | 光電光學 |
專利摘要(中) |
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本發明是關於一種高效、可多變化的發光二極體與其製造方法,其中發光二極體可發出白光或任一種可見光。在一實施例,發光二極體陣列包含一或多個發光二極體位於一基板上。每個發光二極體包含一第一型摻雜奈米柱、一主動發光區位於第一型摻雜奈米柱上,以及一第二型摻雜奈米柱位於主動發光區上,其中主動發光區包含一或多個奈米碟。本發明另一實施例提供上述發光二極體陣列的製造方法。 |
聯絡資訊 | |
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承辦人姓名 | 李馥如 |