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| 專利名稱(中) | 具增強的、可調適的低頻雜訊之多閘極場效電晶體 |
| 專利名稱(英) | MULTI-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH ENHANCED AND ADAPTABLE LOW-FREQUENCY NOISE |
| 專利家族 |
中華民國：I418034 美國：8,604,549 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
| 發明人 | 邱當榮,龔正,陳新 |
| 技術領域 | 電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 一種FET，在STI上有額外的閘極，用來增強及調適STI-矽界面引發的低頻雜訊。藉由改變該STI閘極的電壓，該FET可調適的低頻雜訊超過萬倍。此FET相容於標準CMOS邏輯製程，不需要額外的光罩及改變製程。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 李曉琪 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
| 承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |
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