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| 專利名稱(中) | 增加穿隧磁阻變化率的方法 |
| 專利家族 |
中華民國：I253648 |
| 專利權人 | |
| 發明人 | 賴志煌,楊政翰,毛思寧,王郁仁 |
| 技術領域 | 材料化工 |
 專利摘要(中) |
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| 本發明提供一種增加穿隧磁阻變化率的方法，係以離子佈植的方法以適當的能量對穿隧磁阻元件的阻障層實施金屬離子之植入，藉以利用摻雜的離子輔助穿隧效應來降低穿隧磁阻元件的電阻值，從而增加穿隧磁阻變化率。 |
 聯絡資訊 |
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|---|---|
| 承辦人姓名 | 楊美茹 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
| 承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |
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