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專利名稱(中) 部分隔離矽基板之三族氮化物半導體裝置之製作方法
專利名稱(英) Method of Fabricating III-Nitride Based Semiconductor on Partial Isolated Silicon Substrate
專利家族 中華民國：I493617
美國：8,999,849
專利權人 國立清華大學 100.00%
發明人 林于軒,連羿韋,徐碩鴻
技術領域 電子電機
專利摘要(中)
一種部分隔離矽基板之三族氮化物半導體裝置之製作方法，係從晶片上方直接蝕刻，不需要進行基板轉移以及矽基板深蝕刻之製程，可使其線寬問題有效解決，並且省去基板轉移中必須磨薄矽基板造成元件接續製程不易與大尺寸晶片容易產生彎曲（Bowing）現象等製程問題，使本發明得以簡化其元件製程複雜度、降低製程成本之同時，亦可與現有製程相容，並能通用於大尺寸晶片製造，使其可以提升元件之崩潰電壓，更透過不用磨薄矽基板，將矽保留而使導通電流不會降低之外，亦能減緩其散熱問題。
聯絡資訊
承辦人姓名 李曉琪
承辦人電話 03-5715131 #31061
承辦人Email hsiaochi@mx.nthu.edu.tw
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