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| 專利名稱(中) | 部分隔離矽基板之三族氮化物半導體裝置之製作方法 |
| 專利名稱(英) | Method of Fabricating III-Nitride Based Semiconductor on Partial Isolated Silicon Substrate |
| 專利家族 |
中華民國：I493617 美國：8,999,849 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 林于軒,連羿韋,徐碩鴻 |
| 技術領域 | 電子電機 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 李曉琪 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
| 承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |
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