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專利名稱(中)	具有第IVA族離子佈植的金氧半場效電晶體之結構與製造方法
專利名稱(英)	A STRUCTURE AND A MANUFACTURING METHOD OF A MOSFET WITH AN ELEMENT OF IVA GROUP ION IMPLANTATION
專利家族	中華民國：I722502 大陸：6309719 美國：11,121,235
專利權人	國立清華大學 100%
發明人	黃智方,江政毅,王勝弘,洪嘉慶
技術領域	材料化工,能源科技,電子電機

專利摘要(中)
本發明揭露一種具有第IVA族離子佈植的金氧半場效電晶體之結構與方法，第IVA族離子佈植層設置於基極之中，且第IVA族離子佈植層接近於該閘極氧化層與該基極之交界面；其中，第IVA族離子佈植層用來改變結構之一通道的性質。