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| 專利名稱(中) | 平面金属氧化物半导体栅极半导体元件结构 |
| 專利家族 |
中華民國：202447956(公開號) 大陸：CN119029031A(公開號) |
| 專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
| 發明人 | 黃智方,胡家瑋 |
| 技術領域 | 光電光學,電子電機 |
 專利摘要(中) |
|---|
| 本发明揭露一种平面金属氧化物半导体栅极半导体元件结构，具有一主动区与一非主动区，其中，该主动区包含：多个六边形主动区单元，所述多个六边形主动区单元紧密相邻排列以覆盖该主动区，并形成该主动区的平面；其中，所述多个六边形主动区单元环绕该非主动区，且该非主动区单元至少连结所述多个六边形主动区单元其中之一；以及该主动区包括金属氧化物半导体结构反转或累积形成的通道，而该非主动区则不包括通道。 |
 聯絡資訊 |
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|---|---|
| 承辦人姓名 | 李曉琪 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
| 承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |
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