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專利名稱(中) 高電子遷移率發光電晶體之結構
專利家族 中華民國：I559537
大陸：3010461
美國：9,502,602
專利權人 國立清華大學 100%
發明人 張庭輔,王佑立,鄭克勇,邱紹諺,吳濬宏,李奕辰,楊偉臣,黃智方
技術領域 電子電機
專利摘要(中)
本發明提供一種高電子遷移率發光電晶體之結構，結構包含：基板；高遷移率電晶體(簡稱HEMT)區設置於基板上；氮化鎵發光二極體(GaN-LED，簡稱LED)區設置於該基板上；其中，HEMT區與LED區皆存在二維電子氣層，且HEMT區係透過二維電子氣層耦接LED區。
聯絡資訊
承辦人姓名 李曉琪
承辦人電話 03-5715131 #31061
承辦人Email hsiaochi@mx.nthu.edu.tw
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