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| 專利名稱(中) | 靜態隨機存取記憶體單元 |
| 專利名稱(英) | STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL |
| 專利家族 |
中華民國：I479488 美國：8,462,540 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 吳瑞仁,山內寬行,陳來福,張孟凡 |
| 技術領域 | 電子電機 |
 專利摘要(中) |
|---|
| 本發明係揭露一種靜態隨機存取記憶體單元，其包含一第一反向器、一第二反向器、一第一電晶體、一第二電晶體以及一第三電晶體，且第一反向器與第二反向器相互跨接耦合。第一電晶體連接於一寫入字元線、一寫入位元線以及第一反向器之一第一輸出節點，而第二電晶體連接於一寫入互補位元線、寫入字元線以及第二反向器之一第二輸出節點，以分別形成一傳輸閘。並且，第三電晶體連接於一讀取位元線、一讀取字元線以及第一反向器之第一輸入節點，形成一讀取埠電晶體，使記憶體單元具有一讀取埠。其中，讀取埠電晶體具有非對稱性臨界電壓之特性，可降低箝制電流(clamping current)來延展讀取位元線擺幅(to expanded read bit line swing)，亦可利用昇壓讀取位元線(boosted read bit line)方式來延展讀取位元線擺幅。 |
 聯絡資訊 |
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|---|---|
| 承辦人姓名 | 李曉琪 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
| 承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |
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