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專利名稱(中) 電極薄膜及其製造方法
專利家族 中華民國:I610882
美國:10,777,332
專利權人 國立清華大學 100%
發明人 洪健中,陳彥任,劉通敏
技術領域 能源科技,機械結構,光電光學
專利摘要(中)
本發明提供一種電極薄膜及其製造方法。前述方法包含:基於第一金屬奈米線懸浮液的懸浮性質決定第一滾具與基材之間的高度以及以第一滾具將第一金屬奈米線懸浮液滾印於基材上的滾印速度;使用第一滾具以滾印速度將第一金屬奈米線懸浮液滾印於基材上,以在基材上形成濕膜;以及基於懸浮性質控制基材對濕膜加熱的第一溫度,以使濕膜乾燥為電極薄膜。第一溫度使得濕膜的破裂速度大於濕膜的乾燥速度。
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承辦人姓名 施惠婷
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