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專利名稱(中) 測試直通矽晶穿孔的方法及其電路
專利名稱(英) Method for Testing Through-Silicon-Via and the Circuit Thereof
專利家族 中華民國：I411795
美國：8,531,199
專利權人 國立清華大學 100.00%
發明人 吳誠文,陳柏源,蒯定明,周永發
技術領域 電子電機
專利摘要(中)
本發明之測試直通矽晶穿孔之方法及電路利用受測試之直通矽晶穿孔之電子性質。首先將該受測試之直通矽晶穿孔重設至一第一狀態，且接著在僅一末端處進行感測以判定該受測試之直通矽晶穿孔是否遵循一正常直通矽晶穿孔之行為，其中該等重設及感測步驟在該受測試之直通矽晶穿孔之僅一末端處執行。若該受測試之直通矽晶穿孔不遵循一正常直通矽晶穿孔之行為，則判定該受測試之直通矽晶穿孔為有故障的。
聯絡資訊
承辦人姓名 李曉琪
承辦人電話 03-5715131 #31061
承辦人Email hsiaochi@mx.nthu.edu.tw
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