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專利名稱(中) 成長碲及碲化物奈米線陣列於導電基材上的方法和碲及碲化物奈米線熱電裝置
專利名稱(英) METHOD FOR FORMING TELLURIUM/TELLURIDE NANOWIRE ARRAYS ON A CONDUCTIVE SUBSTRATE AND TELLURIUM/TELLURIDE NANOWIRE THERMOELECTRIC DEVICE
專利家族 中華民國:I610463
專利權人 國立清華大學 100.00%
發明人 饒允婷,周庭楙,李瓔純,林宗宏
技術領域 材料化工,能源科技,電子電機
專利摘要(中)
本發明係提供可快速地大規模製造碲及碲化物熱電奈米材料於導電基材上的方法及碲及碲化物奈米線熱電裝置。碲及碲化物奈米線可表現出n-型或p-型熱電特性。碲及碲化物奈米線熱電裝置包含有第一電極、於第一電極上所形成具熱電特性之複數碲及碲化物奈米線陣列以及第二電極。另於碲及碲化物奈米線陣列及第二電極間可包含導電聚合物。藉此,透過碲及碲化物奈米線熱電材料的奈米尺度特性,可大幅提高熱電轉換效率。再者,此種熱電裝置不受大小規模限制,且具有輕薄體積以及可撓特性,具備在衣物、汽車、工廠廢熱等廣大的應用性。
聯絡資訊
承辦人姓名 劉千綺
承辦人電話 03-571-5131 #31181
承辦人Email chienchi@mx.nthu.edu.tw
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