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| 專利名稱(中) | 多晶片堆疊結構 |
| 專利名稱(英) | multi-chip stacked structure |
| 專利家族 |
中華民國：I422009 美國：8,174,126 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
| 發明人 | 陳賢德,黃婷婷 |
| 技術領域 | 資訊工程,電子電機 |
 專利摘要(中) |
|---|
| 本發明之多晶片堆疊結構，係包括有一底層，其具有一線路重配置層之基板；一第一晶片，係至少包括有一非導體層及一金屬層，該非導體層設有一金屬填充通道，該金屬層係倒置設置於該底層晶片之線路重配置層上；至少二堆疊晶片，係依序堆疊向上，各堆疊晶片至少包括有：一金屬層；一非導體層，係設置有一金屬填充通道與對應堆疊之堆疊晶片的金屬層電性連接，並於堆疊在最下面之非導體層的金屬填充通道與該第一晶片之非導體層的金屬填充通道電性連結。藉由此結構，可大幅改善因金屬填充層數量的增加而導致增加散熱設計上的複雜度，提高散熱效能。＞ |
 聯絡資訊 |
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|---|---|
| 承辦人姓名 | 李曉琪 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
| 承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |
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