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專利名稱(中)	中紅外線發光二極體及其製造方法、矽光子電路及其製造方法
專利名稱(英)	MID-INFRARED LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, SILICON PHOTONIC CIRCUIT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
專利家族	中華民國：202220233(公開號) 美國：11,769,859
專利權人	國立清華大學 100%
發明人	劉昌樺
技術領域	生化醫藥,光電光學

專利摘要(中)
一種中紅外線發光二極體，包括沿中紅外線發光二極體的厚度方向依序設置的石墨烯下電極層、黑磷層以及石墨烯上電極層，其中黑磷層接觸石墨烯下電極層以及石墨烯上電極層。另提供一種中紅外線發光二極體的製造方法、矽光子電路及其製造方法。