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專利名稱(中) | 非序化合金的序化方法及由其方法所製得之磁性材料 |
專利家族 |
中華民國:I381403 |
專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
發明人 | 溫偉志,賴志煌 |
技術領域 | 材料化工 |
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本發明提供一種非序化合金的序化方法,包含:(a)於一基材上形成一(M2/M1M3)n之多層膜,其中,n≧1,且n為整數,該M1M3層的M1是選自下列所構成之群組的第一金屬原子:Ag及Au,且該M1M3層具有一面心立方晶體結構之介穩相;及(b)於步驟(a)之後,退火該多層膜迫使第一金屬原子離開該面心立方晶體結構的晶格位置以於該面心立方晶體結構中留下空孔,並使該M2層的原子擴散進入該面心立方晶體結構的空孔,進而與留下有空孔之M1M3層的剩餘原子產生交互擴散以構成一序化的M2M3合金。本發明亦提供一種由其方法所製得之磁性材料。 |
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承辦人姓名 | 楊美茹 |
承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |