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| 專利名稱(中) | 金氧半場效電晶體之閘極介電層的氮化方法 |
| 專利名稱(英) | METHOD FOR NITRIFYING GATE DIELECTRICS OF MOSFET |
| 專利家族 |
中華民國：I378500 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 傅崇豪,張廖貴術 |
| 技術領域 | 電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 本發明提供一種金氧半場效電晶體之閘極介電層的氮化方法。該金氧半場效電晶體是形成於一半導體基板上。該方法包含以下步驟：(a)於該半導體基板上形成一含有Hf、Al與O的閘極介電層；(b)於該閘極介電層上形成一閘極；(c)於該半導體基板形成相間隔設置的一源極與一汲極；(d)實施含氮電漿離子佈植；及(e)實施退火處理以完成氮化。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 楊美茹 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
| 承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |
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