專利授權區 | |
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專利名稱(中) | III族-氮化物發光二極體與其形成方法 |
專利家族 |
大陸:1253418 美國:8,242,523 韓國:10-1268972 |
專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
發明人 | 呂宥蓉,林弘偉,果尚志 |
技術領域 | 光電光學 |
專利摘要(中) |
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本发明是有关于一种III族-氮化物发光二极管与其形成方法,其主要包含:一第一电极;一n型氮化镓纳米柱数组,具有多个n型氮化镓纳米柱与该第一电极欧姆接触;一或多个氮化铟镓纳米碟,设置于每个n型氮化镓纳米柱上;一p型氮化镓纳米柱数组,具有多个p型氮化镓纳米柱,其中每个p型氮化镓纳米柱对应一个n型氮化镓纳米柱,且被设置于每个所对应的n型氮化镓纳米柱上方的该氮化铟镓纳米碟的上方;以及一第二电极,与该p型氮化镓纳米柱数组欧姆接触。 |
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承辦人姓名 | 李馥如 |