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專利名稱(中) 雙重矽晶穿孔結構
專利名稱(英) DOUBLE THROUGH SILICON VIA STRUCTURE
專利家族 中華民國：I484615
美國：8,742,839
專利權人 國立清華大學 100%
發明人 石修銓,吳誠文
技術領域 電子電機
專利摘要(中)
本發明係揭露一種雙重矽晶穿孔結構，其包含第一晶粒單元、第一訊號路徑、第二訊號路徑、接收單元以及第二晶粒單元。第一訊號路徑，係包含有第一驅動單元及第一矽晶穿孔單元，第一驅動單元係包含第一端、第二端及第三端。第二訊號路徑，係包含有第二驅動單元及第二矽晶穿孔單元，第二驅動單元係包含第一端、第二端及第三端。本發明係藉由第一驅動單元、第二驅動單元及具有或閘或反或閘的接收單元將傳統雙重矽晶穿孔之訊號路徑分割為兩個不同的訊號路徑，以避免因為短路缺陷的矽晶穿孔單元產生訊號衰退的問題
聯絡資訊
承辦人姓名 李曉琪
承辦人電話 03-5715131 #31061
承辦人Email hsiaochi@mx.nthu.edu.tw
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