專利授權區 | |
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專利名稱(中) | 摻雜型單晶金屬矽化物的奈米線體之製作方法 |
專利家族 |
中華民國:I251628 |
專利權人 | |
發明人 | 周立人,闕郁倫,侯綉芳,鄭斯璘 |
技術領域 | 材料化工 |
專利摘要(中) |
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本發明提供一種摻雜型單晶金屬矽化物的奈米線體之製作方法,包含下列步驟:(A)於一減壓環境中提供一實質上由矽所構成的基材;(B)於該基材上形成一含有一鎳層及至少一由一選自於下列所構成之群組的金屬材料所製成的金屬層的金屬膜:鐵、鈷、鉑及此等之一組合,其中,該鎳層厚度與該金屬層厚度的比值是介於100至1/100之間;(C)於該減壓環境內提供一選自於下列所構成之群組的金屬源:鉭源、鎢源及鉬源;及(D)實施一真空退火以製作出該摻雜型單晶金屬矽化物的奈米線體。 |
聯絡資訊 | |
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承辦人姓名 | 楊美茹 |
承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |