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專利名稱(中) 半导体结构
專利家族 中華民國：202335309(公開號)
大陸：CN116666452A(公開號)
美國：2023-0275161(公開號)
專利權人 國立清華大學 100%
發明人 黃智方,胡家瑋,許甫任
技術領域 電子電機
專利摘要(中)
本发明揭露一种半导体结构，包含：肖特基二极管结构，该肖特基二极管结构的第一沟槽延伸通过第一N型半导体层且设置于第一N型半导体层中；第一绝缘层设置于第一沟槽内；至少两个多晶硅层或金属硅化物层设置于第一沟槽内；第一P型保护层接地且设置于第一沟槽底部，且第一P型保护层并接触第一绝缘层与下层的多晶硅层或金属硅化物层的底面；金属层分别作为半导体结构的上表面与下底面，分别形成源极与漏极；金属层覆盖于第一沟槽，并在金属层与第一N型半导体层顶部的交界处具有肖特基结，且电子累积区形成在第一绝缘层外侧；其中，第一P型保护层的底面与第一N型半导体层的交界面具有PN结。
聯絡資訊
承辦人姓名 李曉琪
承辦人電話 03-5715131 #31061
承辦人Email hsiaochi@mx.nthu.edu.tw
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