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| 專利名稱(中) | 半導體立體結構層、其製備方法，及電化學製氨方法 |
| 專利名稱(英) | Semiconductor three-dimensional structure layer, preparation method thereof and electrochemical ammonia production method |
| 專利家族 |
中華民國：I909395 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100.00% |
| 發明人 | 闕郁倫,彭毓仁,唐欣儀,瞿瑞宏 |
| 技術領域 | 能源科技 |
 專利摘要(中) |
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| 本發明提供一種半導體立體結構層，該半導體立體結構層成長於一基材，由多數沿遠離該基材的一方向延伸的奈米微結構所構成，該等奈米微結構成柱狀或片狀，且該等奈米微結構的構成材料包含如下式(1)所述之通式的非對稱過渡金屬硫族化合物， MX1X2 式(1) 其中，M為過渡金屬，X1、X2為硫族元素，且X1與X2不同。此外，本發明還同時提供該半導體立體結構層的製備方法，及以該半導體立體結構層為催化劑的電化學製氨方法。 |
| 專利摘要(英) |
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| This invention provides a semiconductor three-dimensional structure layer that grows on a substrate and is composed of a multitude of nanoscale structures extending in a direction away from the substrate. These nanoscale structures, which can be columnar or lamellar, are made of asymmetric transition metal dichalcogenide compounds represented by the formula (1), where, M is a transition metal, and X1 and X2 are chalcogen elements, with X1 and X2 being different. MX1X2 Formula (1) This invention also provides a method for manufacture the semiconductor three-dimensional structure layer and an electrochemical ammonia production method by using said semiconductor three-dimensional structure layer as catalyst. |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 黃允恬 |
| 承辦人電話 | (03)571-5131#62305 |
| 承辦人Email | yuntian@mx.nthu.edu.tw |
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傳 真：
+886-3-5162275
地 址：
300044 新竹市光復路二段101號 國立清華大學 創新育成大樓 113室