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| 專利名稱(中) | 增強型氮化鎵系金氧半場效電晶體 |
| 專利名稱(英) | ENHANCEMENT MODE GAN-BASED MOSFET |
| 專利家族 |
中華民國：I409951 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 李克濤,龔正,黃智方 |
| 技術領域 | 電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 本發明提供一種增強型氮化鎵系金氧半場效電晶體，包含；一六方晶系結構之基板、一配置於該基板上且其內部含有第一導電型之摻質的第一GaN層、一對相間隔地自該第一GaN層內部延伸至其表面的源極與汲極、一閘極介電膜層結構，及一形成於該閘極介電膜層結構上的閘極。該閘極介電膜層結構覆蓋該未形成有該對源極與汲極之第一GaN系層的表面，並具有一MgO層及一形成於該MgO層上之含有Ti與Mg的氧化層。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 李曉琪 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
| 承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |
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