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| 專利名稱(中) | 具有沟槽结势垒肖特基二极管的半导体结构 |
| 專利家族 |
中華民國：I773029 大陸：CN114649421A(公開號) 美國：11,810,974 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 黃智方,胡家瑋,林祐安,詹詠翔 |
| 技術領域 | 電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 本发明提供了一种具有沟槽结势垒肖特基二极管的半导体结构，包含：一沟槽式栅极功率金属氧化物半导体场效应应晶体管结构；以及一沟槽结势垒肖特基二极管；其中，该沟槽结势垒肖特基二极管的侧壁的一绝缘层内不具备有一侧栅极。本发明提供的具有沟槽结势垒肖特基二极管的半导体结构具有最短的电流路径、以及电流路径垂直于水平面或肖特基势垒。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 李曉琪 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
| 承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |
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