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專利名稱(中)	半導體元件的製造方法
專利名稱(英)	MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
專利家族	中華民國：I818580 美國：US-2023-0402822-A1(公開號)
專利權人	國立清華大學 100.00%
發明人	潘犀靈
技術領域	光電光學,電子電機

專利摘要(中)
一種半導體元件的製造方法，包括：提供一半導體堆疊層，其中半導體堆疊層包括依序堆疊的一第一型半導體層、一量子井層及一第二型半導體層；在第二型半導體層上成長一氮化鋁層；以及對氮化鋁層進行退火處理，以達到量子井互混的效果。

專利摘要(英)
A manufacturing method of a semiconductor device includes: providing a semiconductor stack layer, wherein the semiconductor stack layer includes a first type semiconductor layer, a quantum well layer, and a second type semiconductor layer stacked in sequence; growing an aluminum nitride layer on the second type semiconductor layer; and annealing the aluminum nitride layer to achieve quantum well intermixing.

專利摘要(英)

A manufacturing method of a semiconductor device includes: providing a semiconductor stack layer, wherein the semiconductor stack layer includes a first type semiconductor layer, a quantum well layer, and a second type semiconductor layer stacked in sequence; growing an aluminum nitride layer on the second type semiconductor layer; and annealing the aluminum nitride layer to achieve quantum well intermixing.

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承辦人姓名	李馥如